Нанесение и сушка фоторезиста

Оборудование предназначено для нанесения и сушки фоторезиста на полупроводниковых пластинах.

Нанесение фоторезистивных плёнок на гладкую и рельефную поверхность пластин, с последующей термообработкой.
Кластерные линии фотолитографии, объединяющие операции формирования фоторезистивной маски для технологического процесса с проектными нормами до 0.35÷0,18 мкм на пластинах диаметром 150 и 200 мм, представляет собой высокотехнологичное оборудование для выполнения этапов очистки пластин, обработки промотором адгезии, нанесения фоторезиста, сушки, термостабилизации, проявления.
Нанесение фоторезистивных плёнок на гладкую и рельефную поверхность пластин и подложек.
Нанесение фоторезистивных плёнок на гладкую и рельефную поверхность пластин и подложек, с последующей термообработкой.
Автоматическая трековая установка нанесения фоторезиста, предназначенная для фотолитографического обеспечения производства СБИС и дискретных п/п приборов на полупроводниковых пластинах диаметром до 100 мм / 150 мм.
Copyright www.webdesigner-profi.de