Химическое травление
Химическое травление
Модуль физико-химической обработки полупроводниковых пластин предназначен для проведения технологического процесса химической обработки проэкспонированных фотошаблонных заготовок.
Линии химической обработки пластин/подложек предназначены для химической обработки пластин/подложек в растворах плавиковой, серной, соляной, азотной, фосфорной, уксусной кислот, перекиси водорода, аммиака и их смесей, с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой (или без сушки).
Линии/установки химической обработки пластин/подложек предназначены для химической обработки пластин/подложек в растворах плавиковой, серной, соляной, азотной, фосфорной, уксусной кислот, перекиси водорода, аммиака и их смесей, с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой (или без сушки).
Установка предназначена для химической обработки пластин в растворах плавиковой, серной, соляной, азотной, фосфорной, уксусной кислот, перекиси водорода, аммиака и их смесей, с последующей промывкой в деионизованной воде.