Химическое травление

Модуль физико-химической обработки полупроводниковых пластин предназначен для проведения технологического процесса химической обработки проэкспонированных фотошаблонных заготовок.

Линии химической обработки пластин/подложек предназначены для химической обработки пластин/подложек в растворах плавиковой, серной, соляной, азотной, фосфорной, уксусной кислот, перекиси водорода, аммиака и их смесей, с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой (или без сушки).

Линии/установки химической обработки пластин/подложек предназначены для химической обработки пластин/подложек в растворах плавиковой, серной, соляной, азотной, фосфорной, уксусной кислот, перекиси водорода, аммиака и их смесей, с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой (или без сушки).

Установка предназначена для химической обработки пластин в растворах плавиковой, серной, соляной, азотной, фосфорной, уксусной кислот, перекиси водорода, аммиака и их смесей, с последующей промывкой в деионизованной воде.