НАЗНАЧЕНИЕ:
Назначением специализированного стенда для ионно-плазменной обработки являлется очистка полупроводниковых пластин от поверхностных загрязнений и остатков оксидных слоев в инертной, либо слабой восстановительной среде. Эта обработка повышает адгезионные характеристики полупроводниковой структуры, восстанавливает ее функциональные свойства после промежуточных операций, затрагивающих элементный состав и кристаллическую структуру поверхности.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ:
- Индивидуальная система обработки.
- Возможность высокоточного бездефектного чистого травления малых толщин поверхностных слоев полупроводниковых пластин в инертной, либо слабо восстановительной атмосфере.
- Неактивированный рабочий газ является абсолютно инертной средой, не взаимодействующей с полупроводниковыми соединениями. Процесс травления осуществляется только в результате плазменной активации этой газовой атмосферы.
- Водоохлаждаемый термостатируемый столик позволяет добиваться равномерности травления поверхности благодаря устранению градиента температур на поверхности пластины.
- Надежная система подъема пластины с использованием прецизионной системы электропривода.
- Манипулятор и кассета с автоматическим центрированием пластины, за счет геометрии направляющих выступов.
- Безмасляная технология получения вакуума на основе ТМН.
- Автоматизированная система газонапуска, управляемая при помощи промышленного компьютера и контролируемая широкодиапазонными вакуумными датчиками.
- Автоматизированный контроль, осуществляемый на основе промышленного компьютера с разработанным ПО и системы датчиков контроля.
- Азотный бокс, присоединенный к шлюзу.
